H5AN8G4NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR-UHC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G4NAFR-UHC 제조: SK hynix 및 H5AN8G6NAFR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-UHC H5AN8G4NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK Hynix

H5AN8G4NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK Hynix

H5AN8G4NAFR-UHC ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G4NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.05 $5.74
Manufacturer SK hynix (Hynix Semiconductor) —
메모리 유형 DDR4 SDRAM (CMOS) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
메모리 구성 2G x4 512M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Speed Grade UHC —
인터페이스 Synchronous, dual rising/falling clock edges —
Clock Input Differential CK_t / CK_c —
패키지 78-ball FBGA FBGA-96
실장 유형 Surface Mount —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +85°C
RoHS 상태 Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) —
Family Variants H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Datasheet Revision Rev. 1.2 (Jul. 2017), 45 pages —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Packaging [DATA_NEEDED: reel / tray quantity] —
공급 전압 — 1.2 V
데이터 속도 — 2400 MT/s
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Lead-Free — Yes
할로겐 프리 — Yes
RoHS Compliant — Yes
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

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