H5AN8G4NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN8G4NAFR-UHC por SK hynix y H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-UHC H5AN8G4NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK Hynix

H5AN8G4NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK Hynix

H5AN8G4NAFR-UHC ✓ Activo
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN8G4NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,05 $5,74
Manufacturer SK hynix (Hynix Semiconductor) —
Tipo de memoria DDR4 SDRAM (CMOS) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organización de memoria 2G x4 512M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Speed Grade UHC —
Interfaz Synchronous, dual rising/falling clock edges —
Clock Input Differential CK_t / CK_c —
Encapsulado 78-ball FBGA FBGA-96
Tipo de montaje Surface Mount —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +85°C
Estado RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) —
Family Variants H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Datasheet Revision Rev. 1.2 (Jul. 2017), 45 pages —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Packaging [DATA_NEEDED: reel / tray quantity] —
Tensión de alimentación — 1.2 V
Velocidad de datos — 2400 MT/s
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Lead-Free — Yes
Sin halógenos — Yes
RoHS Compliant — Yes
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

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