H5AN8G4NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G4NAFR-UHC par SK hynix et H5AN8G6NAFR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-UHC H5AN8G4NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK Hynix

H5AN8G4NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK Hynix

H5AN8G4NAFR-UHC ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G4NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,05 $5,74
Manufacturer SK hynix (Hynix Semiconductor) —
Type de mémoire DDR4 SDRAM (CMOS) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organisation de la mémoire 2G x4 512M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Speed Grade UHC —
Interface Synchronous, dual rising/falling clock edges —
Clock Input Differential CK_t / CK_c —
Boîtier 78-ball FBGA FBGA-96
Type de montage Surface Mount —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +85°C
Statut RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) —
Family Variants H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Datasheet Revision Rev. 1.2 (Jul. 2017), 45 pages —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Packaging [DATA_NEEDED: reel / tray quantity] —
Tension d'alimentation — 1.2 V
Débit de données — 2400 MT/s
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes
RoHS Compliant — Yes
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

Fiches techniques et ressources

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