H5AN8G6NAFR-RDC vs H5AN8G6NAFR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-RDC von SK hynix und H5AN8G6NAFR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,05 $5,74
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Versorgungsspannung 1.2 V 1.2 V
Schnittstelle DDR4 (JEDEC-standard) —
Access Mode Multi Bank Page Burst —
Package Code TFBGA TFBGA
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 96
Montageart Surface Mount —
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing) —
Technology CMOS —
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) —
Speed Grade -RDC (see datasheet for bin timing) —
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Max Clock Rate [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +85°C
Density — 8 Gb
Datenrate — 2400 MT/s
Gehäuse — FBGA-96
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
RoHS Compliant — Yes
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

Datenblätter & Ressourcen

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