H5AN8G6NAFR-RDC vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NAFR-RDC por SK hynix y H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NAFR-RDC | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,05 | $5,74 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Interfaz | DDR4 (JEDEC-standard) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| Package Code | TFBGA | TFBGA |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Temperature Grade | OTHER (per Partstack listing) | — |
| Technology | CMOS | — |
| Estado RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Speed Grade | -RDC (see datasheet for bin timing) | — |
| Family | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC | — |
| Max Clock Rate | [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +85°C |
| Density | — | 8 Gb |
| Velocidad de datos | — | 2400 MT/s |
| Encapsulado | — | FBGA-96 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Refresh | — | Auto self-refresh |