H5AN8G6NAFR-RDC vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR-RDC par SK hynix et H5AN8G6NAFR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NAFR-RDC | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,05 | $5,74 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Interface | DDR4 (JEDEC-standard) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| Package Code | TFBGA | TFBGA |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Temperature Grade | OTHER (per Partstack listing) | — |
| Technology | CMOS | — |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Speed Grade | -RDC (see datasheet for bin timing) | — |
| Family | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC | — |
| Max Clock Rate | [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +85°C |
| Density | — | 8 Gb |
| Débit de données | — | 2400 MT/s |
| Boîtier | — | FBGA-96 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Refresh | — | Auto self-refresh |