H5AN8G6NAFR-RDC vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NAFR-RDC por SK hynix e H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,05 $5,74
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Interface DDR4 (JEDEC-standard) —
Access Mode Multi Bank Page Burst —
Package Code TFBGA TFBGA
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 96
Tipo de montagem Surface Mount —
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing) —
Technology CMOS —
Status RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) —
Speed Grade -RDC (see datasheet for bin timing) —
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Max Clock Rate [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +85°C
Density — 8 Gb
Taxa de dados — 2400 MT/s
Encapsulamento — FBGA-96
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
RoHS Compliant — Yes
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

Fichas técnicas e recursos

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