H5AN8G6NAFR-RDC vs H5AN8G6NAFR-UHC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NAFR-RDC от SK hynix и H5AN8G6NAFR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-UHC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,05 $5,74
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Напряжение питания 1.2 V 1.2 V
Интерфейс DDR4 (JEDEC-standard) —
Access Mode Multi Bank Page Burst —
Package Code TFBGA TFBGA
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 96
Тип монтажа Surface Mount —
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing) —
Technology CMOS —
Статус RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) —
Speed Grade -RDC (see datasheet for bin timing) —
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Max Clock Rate [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +85°C
Density — 8 Gb
Скорость передачи данных — 2400 MT/s
Корпус — FBGA-96
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes
RoHS Compliant — Yes
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену