H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NDJR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-UHC von SK hynix und H5AN8G6NDJR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,74 | $35,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Datenrate | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Gehäuse | FBGA-96 | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +85°C | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| Eigenschaften | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |