H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NDJR Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix y H5AN8G6NDJR por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,74 | $35,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Velocidad de datos | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Encapsulado | FBGA-96 | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +85°C | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| Características | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |