H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NDJR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR-UHC par SK hynix et H5AN8G6NDJR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,74 | $35,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Débit de données | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Boîtier | FBGA-96 | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |