H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NDJR Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NAFR-UHC от SK hynix и H5AN8G6NDJR от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,74 | $35,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Скорость передачи данных | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Корпус | FBGA-96 | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Рабочая температура | 0°C to +85°C | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| Особенности | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |