H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-VKI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NCJR-VKC von SK hynix und H5AN8G8NCJR-VKI von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKI
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $60,00 $4,85
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Speicherorganisation 512M x 16 —
Datenrate 2666 Mbps 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
Betriebstemperatur 0°C to +95°C [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Gehäuse FBGA-96 FBGA-78
Operating Current (IDD2N) 28 mA —
Operating Current (IDD4R) 45 mA —
Burst Length 8 (BC4) —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Address Bits [DATA_NEEDED: Row Address Bits] —
Column Address Bits [DATA_NEEDED: Column Address Bits] —
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
RoHS Compliant —
Speichergröße — 8 Gb
Memory Organization — 1G x8
Versorgungsspannung — 1.2 V
Schnittstelle — Parallel
Memory Format — DRAM
Volatile — Yes
Montageart — Surface Mount
Grade — Industrial (I suffix)
Technology — CMOS
Product Family — H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM
Packaging — Tray
Product Status — Active
RoHS-Status — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

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