H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-VKI Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NCJR-VKC par SK hynix et H5AN8G8NCJR-VKI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKI
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $60,00 $4,85
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organisation de la mémoire 512M x 16 —
Débit de données 2666 Mbps 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
Température de fonctionnement 0°C to +95°C [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Boîtier FBGA-96 FBGA-78
Operating Current (IDD2N) 28 mA —
Operating Current (IDD4R) 45 mA —
Burst Length 8 (BC4) —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Address Bits [DATA_NEEDED: Row Address Bits] —
Column Address Bits [DATA_NEEDED: Column Address Bits] —
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes —
RoHS Compliant —
Taille de mémoire — 8 Gb
Memory Organization — 1G x8
Tension d'alimentation — 1.2 V
Interface — Parallel
Memory Format — DRAM
Volatile — Yes
Type de montage — Surface Mount
Grade — Industrial (I suffix)
Technology — CMOS
Product Family — H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM
Packaging — Tray
Product Status — Active
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

Fiches techniques et ressources

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