H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-VKI Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix e H5AN8G8NCJR-VKI por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKI
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $60,00 $4,85
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organização da memória 512M x 16 —
Taxa de dados 2666 Mbps 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
Temperatura de operação 0°C to +95°C [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Encapsulamento FBGA-96 FBGA-78
Operating Current (IDD2N) 28 mA —
Operating Current (IDD4R) 45 mA —
Burst Length 8 (BC4) —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Address Bits [DATA_NEEDED: Row Address Bits] —
Column Address Bits [DATA_NEEDED: Column Address Bits] —
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
RoHS Compliant —
Tamanho da memória — 8 Gb
Memory Organization — 1G x8
Tensão de alimentação — 1.2 V
Interface — Parallel
Memory Format — DRAM
Volatile — Yes
Tipo de montagem — Surface Mount
Grade — Industrial (I suffix)
Technology — CMOS
Product Family — H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM
Packaging — Tray
Product Status — Active
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

Fichas técnicas e recursos

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