H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-VKI Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NCJR-VKC от SK hynix и H5AN8G8NCJR-VKI от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKI
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $60,00 $4,85
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Организация памяти 512M x 16 —
Скорость передачи данных 2666 Mbps 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
Рабочая температура 0°C to +95°C [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Корпус FBGA-96 FBGA-78
Operating Current (IDD2N) 28 mA —
Operating Current (IDD4R) 45 mA —
Burst Length 8 (BC4) —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Address Bits [DATA_NEEDED: Row Address Bits] —
Column Address Bits [DATA_NEEDED: Column Address Bits] —
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
RoHS Compliant —
Размер памяти — 8 Gb
Memory Organization — 1G x8
Напряжение питания — 1.2 V
Интерфейс — Parallel
Memory Format — DRAM
Volatile — Yes
Тип монтажа — Surface Mount
Grade — Industrial (I suffix)
Technology — CMOS
Product Family — H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM
Packaging — Tray
Product Status — Active
Статус RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену