H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-VKI Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix y H5AN8G8NCJR-VKI por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G8NCJR-VKI |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $60,00 | $4,85 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Encapsulado | FBGA-96 | FBGA-78 |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x8 |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Interfaz | — | Parallel |
| Memory Format | — | DRAM |
| Volatile | — | Yes |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Grade | — | Industrial (I suffix) |
| Technology | — | CMOS |
| Product Family | — | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |
| Estado RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |