H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-VKI 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NCJR-VKC 제조: SK hynix 및 H5AN8G8NCJR-VKI 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G8NCJR-VKI |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $60.00 | $4.85 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| 패키지 | FBGA-96 | FBGA-78 |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x8 |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Memory Format | — | DRAM |
| Volatile | — | Yes |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| Grade | — | Industrial (I suffix) |
| Technology | — | CMOS |
| Product Family | — | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |
| RoHS 상태 | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |