H5AN8G8NCJR-VKI vs K4A8G085WC-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G8NCJR-VKI von SK hynix und K4A8G085WC-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Letzte BestellmöglichkeitSpezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G8NCJR-VKI | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Letzte Kaufgelegenheit |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,85 | $50,85 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x8 | — |
| Datenrate | 2666 Mbps | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile | Yes | — |
| Gehäuse | FBGA-78 | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | 0C to +95C |
| Technology | CMOS | — |
| Product Family | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Schnittstellentyp | — | Synchronous, parallel |