H5AN8G8NCJR-VKI vs K4A8G085WC-BCTD 比較
詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-VKI メーカー: SK hynix および K4A8G085WC-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ ラストタイムバイ仕様比較
| パラメータ | H5AN8G8NCJR-VKI | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | ラストバイ |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $4.85 | $50.85 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x8 | — |
| データレート | 2666 Mbps | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| インターフェース | Parallel | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile | Yes | — |
| パッケージ | FBGA-78 | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (I suffix) | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | 0C to +95C |
| Technology | CMOS | — |
| Product Family | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gb |
| メモリ構成 | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| インターフェースタイプ | — | Synchronous, parallel |