H5AN8G8NCJR-VKI vs K4A8G085WC-BCTD Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-VKI por SK hynix y K4A8G085WC-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Última compraComparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NCJR-VKI | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Última compra |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,85 | $50,85 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x8 | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile | Yes | — |
| Encapsulado | FBGA-78 | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | 0C to +95C |
| Technology | CMOS | — |
| Product Family | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gb |
| Organización de memoria | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Tipo de interfaz | — | Synchronous, parallel |