H5AN8G8NDJR-XNC vs K4A8G085WB-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G8NDJR-XNC von SK hynix und K4A8G085WB-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCRC ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G8NDJR-XNC | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $24,50 | $6,80 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit (1 G x 8) | — |
| Datenrate | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to +95°C | — |
| Gehäuse | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (I/O clock) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Status | Active | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 1G x 8 |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to 85°C |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Access Time | — | 0.175 ns |
| Technology | — | CMOS |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |