H5AN8G8NDJR-XNC vs K4A8G085WB-BCRC 比較
詳細な並列比較: H5AN8G8NDJR-XNC メーカー: SK hynix および K4A8G085WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5AN8G8NDJR-XNC | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $24.50 | $6.80 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit (1 G x 8) | — |
| データレート | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to +95°C | — |
| パッケージ | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| インターフェース | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (I/O clock) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Status | Active | — |
| Density | — | 8 Gb |
| メモリ構成 | — | 1G x 8 |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| 動作温度 | — | 0°C to 85°C |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Access Time | — | 0.175 ns |
| Technology | — | CMOS |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |