H5AN8G8NDJR-XNC vs K4A8G085WB-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NDJR-XNC 제조: SK hynix 및 K4A8G085WB-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G8NDJR-XNC | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $24.50 | $6.80 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit (1 G x 8) | — |
| 데이터 속도 | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to +95°C | — |
| 패키지 | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (I/O clock) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Status | Active | — |
| Density | — | 8 Gb |
| 메모리 구성 | — | 1G x 8 |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 동작 온도 | — | 0°C to 85°C |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Access Time | — | 0.175 ns |
| Technology | — | CMOS |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |