H5AN8G8NDJR vs AS4C512M16D4A-62BCN Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G8NDJR von SK hynix und AS4C512M16D4A-62BCN von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G8NDJR | AS4C512M16D4A-62BCN |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Alliance Memory |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $24,50 | $7,20 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | 512M x 16 |
| Datenrate | 3200 MT/s | 1600 MHz (3200 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 95°C |
| Gehäuse | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| CAS-Latenz | 22 (typical) | 18 ns |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Speichergröße | — | 8 Gbit |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Montageart | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| Schnittstelle | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Packaging | — | Tray |