H5AN8G8NDJR vs AS4C512M16D4A-62BCN 比較
詳細な並列比較: H5AN8G8NDJR メーカー: SK hynix および AS4C512M16D4A-62BCN メーカー: Alliance Memory。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | H5AN8G8NDJR | AS4C512M16D4A-62BCN |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Alliance Memory |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $24.50 | $7.20 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 1G x 8 | 512M x 16 |
| データレート | 3200 MT/s | 1600 MHz (3200 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | — |
| 動作温度 | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 95°C |
| パッケージ | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| CASレイテンシ | 22 (typical) | 18 ns |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gbit |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| インターフェース | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Packaging | — | Tray |