H5AN8G8NDJR vs AS4C512M16D4A-62BCN 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NDJR 제조: SK hynix 및 AS4C512M16D4A-62BCN 제조: Alliance Memory. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G8NDJR | AS4C512M16D4A-62BCN |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Alliance Memory |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $24.50 | $7.20 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 3200 MT/s | 1600 MHz (3200 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | — |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 95°C |
| 패키지 | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| CAS 레이턴시 | 22 (typical) | 18 ns |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| 인터페이스 | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Packaging | — | Tray |