H5AN8G8NDJR vs AS4C512M16D4A-62BCN Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NDJR par SK hynix et AS4C512M16D4A-62BCN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NDJR | AS4C512M16D4A-62BCN |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Alliance Memory |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $24,50 | $7,20 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 512M x 16 |
| Débit de données | 3200 MT/s | 1600 MHz (3200 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 95°C |
| Boîtier | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Latence CAS | 22 (typical) | 18 ns |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| Interface | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Packaging | — | Tray |