H5ANAG8NAMR-UHC vs H5ANAG8NCJR-XNC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG8NAMR-UHC von SK hynix und H5ANAG8NCJR-XNC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ Aktiv
SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NCJR-XNC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,15 $65,63
Manufacturer SK Hynix —
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
Speicherorganisation 2G x 8 2G x 8
Datenrate DDR4-2400 (2400 MT/s) 3200 MT/s (DDR4-3200)
Versorgungsspannung 1.2 V —
Gehäuse FBGA-78 FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Schnittstelle Parallel, DDR4 —
Bank Group Architecture DDR4 bank-group architecture —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4) [DATA_NEEDED: refresh specification]
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS-Status Compliant (lead-free FBGA package) Compliant
Applications Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Process Node — 1z nm (non-EUV)
Die Bit Density — 0.296 Gb/mm2
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) — 25.6 GB/s at DDR4-3200
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Base Part Number Family — H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM)
Speed Grade Suffix — -XNC (0~95C commercial)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern