H5ANAG8NAMR-UHC vs H5ANAG8NCJR-XNC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG8NAMR-UHC 제조: SK hynix 및 H5ANAG8NCJR-XNC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ 활성
SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NCJR-XNC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.15 $65.63
Manufacturer SK Hynix —
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
메모리 구성 2G x 8 2G x 8
데이터 속도 DDR4-2400 (2400 MT/s) 3200 MT/s (DDR4-3200)
공급 전압 1.2 V —
패키지 FBGA-78 FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
인터페이스 Parallel, DDR4 —
Bank Group Architecture DDR4 bank-group architecture —
On-Die Termination (ODT) Yes —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4) [DATA_NEEDED: refresh specification]
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS 상태 Compliant (lead-free FBGA package) Compliant
Applications Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Process Node — 1z nm (non-EUV)
Die Bit Density — 0.296 Gb/mm2
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) — 25.6 GB/s at DDR4-3200
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Base Part Number Family — H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM)
Speed Grade Suffix — -XNC (0~95C commercial)

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