H5CG48AGBDX018N vs K4RAH086VB-BIQK Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5CG48AGBDX018N von SK hynix und K4RAH086VB-BIQK von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5CG48AGBDX018N | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $87,42 | $4,25 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb (2G x 8) | 16 Gb |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Datenrate | 5600 Mbps | 4800 Mbps/pin |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | — |
| Bus Width | 8 bit | — |
| Gehäuse | 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) | 82FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Schnittstelle | JEDEC DDR5 | DDR5 (CA reduced pin count) |
| Memory Generation | DDR5 (SK hynix A-die) | — |
| Clock Frequency | up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) | — |
| Application Class | Computing, industrial controllers, embedded logging | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| Configuration | — | X8 |
| Speed Grade | — | BIQK (-BIQK bin) |
| ECC | — | On-die ECC (DDR5 standard) |
| Burst Length | — | 16 / 32 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |