H5CG48AGBDX018N vs K4RAH086VB-BIQK Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5CG48AGBDX018N par SK hynix et K4RAH086VB-BIQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5CG48AGBDX018N | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $87,42 | $4,25 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb (2G x 8) | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 5600 Mbps | 4800 Mbps/pin |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | — |
| Bus Width | 8 bit | — |
| Boîtier | 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) | 82FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Interface | JEDEC DDR5 | DDR5 (CA reduced pin count) |
| Memory Generation | DDR5 (SK hynix A-die) | — |
| Clock Frequency | up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) | — |
| Application Class | Computing, industrial controllers, embedded logging | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| Configuration | — | X8 |
| Speed Grade | — | BIQK (-BIQK bin) |
| ECC | — | On-die ECC (DDR5 standard) |
| Burst Length | — | 16 / 32 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |