H5CG48AGBDX018N vs K4RAH086VB-BIQK Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5CG48AGBDX018N от SK hynix и K4RAH086VB-BIQK от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5CG48AGBDX018N H5CG48AGBDX018N - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | SK hynix

H5CG48AGBDX018N - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | SK hynix

H5CG48AGBDX018N ✓ Активен
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5CG48AGBDX018N K4RAH086VB-BIQK
Бренд SK hynix Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $87,42 $4,25
Тип памяти DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb (2G x 8) 16 Gb
Организация памяти 2G x 8 2G x 8
Скорость передачи данных 5600 Mbps 4800 Mbps/pin
Напряжение питания 1.1 V —
Bus Width 8 bit —
Корпус 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) 82FBGA
Тип монтажа Surface Mount —
Рабочая температура -40C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Интерфейс JEDEC DDR5 DDR5 (CA reduced pin count)
Memory Generation DDR5 (SK hynix A-die) —
Clock Frequency up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) —
Application Class Computing, industrial controllers, embedded logging —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA)
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Core Supply Voltage — 1.1 V (nominal)
Configuration — X8
Speed Grade — BIQK (-BIQK bin)
ECC — On-die ECC (DDR5 standard)
Burst Length — 16 / 32
Operating Mode — DLL enabled
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate specification]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену