H5CG48AGBDX018N vs K4RAH086VB-BIQK 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5CG48AGBDX018N 제조: SK hynix 및 K4RAH086VB-BIQK 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5CG48AGBDX018N | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $87.42 | $4.25 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb (2G x 8) | 16 Gb |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| 데이터 속도 | 5600 Mbps | 4800 Mbps/pin |
| 공급 전압 | 1.1 V | — |
| Bus Width | 8 bit | — |
| 패키지 | 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) | 82FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 | -40C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 인터페이스 | JEDEC DDR5 | DDR5 (CA reduced pin count) |
| Memory Generation | DDR5 (SK hynix A-die) | — |
| Clock Frequency | up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) | — |
| Application Class | Computing, industrial controllers, embedded logging | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| Configuration | — | X8 |
| Speed Grade | — | BIQK (-BIQK bin) |
| ECC | — | On-die ECC (DDR5 standard) |
| Burst Length | — | 16 / 32 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |