H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63AFR-PBR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5TC4G63AFR-G7A von SK hynix und H5TC4G63AFR-PBR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ Aktiv
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-PBR
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $5,91
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Versorgungsspannung 1.35V 1.35V (1.5V compatible)
Datenrate 1600 Mbps (PC3-12800) 1600 Mbps (PC3L-12800)
Gehäuse 96-ball FBGA 96-ball FBGA (PBGA96)
Betriebstemperatur 0°C to 95°C (case) 0C to +95C
CAS-Latenz Programmable (e.g., 11) 11
Burst Length 8 and 4 8 (BL8) with burst chop (BC4)
Refresh Period 7.8us at 85°C —
On-Die Termination Supported —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Halogenfrei Yes Yes
Process Technology CMOS —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
Clock Frequency — 800 MHz
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Number of Banks — 8
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15

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