H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63AFR-PBR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5TC4G63AFR-G7A por SK hynix e H5TC4G63AFR-PBR por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ Ativo
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-PBR
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,50 $5,91
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Tensão de alimentação 1.35V 1.35V (1.5V compatible)
Taxa de dados 1600 Mbps (PC3-12800) 1600 Mbps (PC3L-12800)
Encapsulamento 96-ball FBGA 96-ball FBGA (PBGA96)
Temperatura de operação 0°C to 95°C (case) 0C to +95C
Latência CAS Programmable (e.g., 11) 11
Burst Length 8 and 4 8 (BL8) with burst chop (BC4)
Refresh Period 7.8us at 85°C —
On-Die Termination Supported —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Livre de halogênio Yes Yes
Process Technology CMOS —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
Clock Frequency — 800 MHz
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Number of Banks — 8
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15

Fichas técnicas e recursos

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