H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63AFR-PBR 比較

詳細な並列比較: H5TC4G63AFR-G7A メーカー: SK hynix および H5TC4G63AFR-PBR メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ 生産中
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H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-PBR
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.50 $5.91
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
電源電圧 1.35V 1.35V (1.5V compatible)
データレート 1600 Mbps (PC3-12800) 1600 Mbps (PC3L-12800)
パッケージ 96-ball FBGA 96-ball FBGA (PBGA96)
動作温度 0°C to 95°C (case) 0C to +95C
CASレイテンシ Programmable (e.g., 11) 11
Burst Length 8 and 4 8 (BL8) with burst chop (BC4)
Refresh Period 7.8us at 85°C —
On-Die Termination Supported —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
Process Technology CMOS —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
Clock Frequency — 800 MHz
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Number of Banks — 8
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15

データシート&リソース

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