H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63AFR-PBR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5TC4G63AFR-G7A par SK hynix et H5TC4G63AFR-PBR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ Actif
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-PBR
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,50 $5,91
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Tension d'alimentation 1.35V 1.35V (1.5V compatible)
Débit de données 1600 Mbps (PC3-12800) 1600 Mbps (PC3L-12800)
Boîtier 96-ball FBGA 96-ball FBGA (PBGA96)
Température de fonctionnement 0°C to 95°C (case) 0C to +95C
Latence CAS Programmable (e.g., 11) 11
Burst Length 8 and 4 8 (BL8) with burst chop (BC4)
Refresh Period 7.8us at 85°C —
On-Die Termination Supported —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Sans halogène Yes Yes
Process Technology CMOS —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
Clock Frequency — 800 MHz
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Number of Banks — 8
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15

Fiches techniques et ressources

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