H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63AFR-PBR Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63AFR-G7A por SK hynix y H5TC4G63AFR-PBR por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5TC4G63AFR-G7A | H5TC4G63AFR-PBR |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $5,91 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.35V (1.5V compatible) |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 95°C (case) | 0C to +95C |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 11) | 11 |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8) with burst chop (BC4) |
| Refresh Period | 7.8us at 85°C | — |
| On-Die Termination | Supported | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| Process Technology | CMOS | — |
| Total Capacity | — | 4Gb |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| tCK | — | 1.25 ns |
| tRCD | — | 13.125 ns |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh Interval | — | 7.8us at 85C, 3.9us at 95C |
| Package Dimensions | — | 13.5mm x 9.0mm |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| I/O Interface | — | SSTL-15 |