IAUA210N10S5N024AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUA210N10S5N024AUMA1 von Infineon und IPB60R280P7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUA210N10S5N024AUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,65 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 CoolMOS P7 (600 V)
Technology MOSFET (Metal Oxide), N-Channel Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tj 210 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Gate Charge Qg (typ) [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 238 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +150 °C (T_j max)
Gehäuse PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Pin-Anzahl — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

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