IAUA210N10S5N024AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUA210N10S5N024AUMA1 メーカー: Infineon および IPB60R280P7ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IAUA210N10S5N024AUMA1 - 100V 2.4mΩ 210A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUA210N10S5N024AUMA1 ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | IAUA210N10S5N024AUMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.65 | $0.88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | CoolMOS P7 (600 V) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), N-Channel | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tj | 210 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C] | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 2.4 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Gate Charge Qg (typ) | [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] | — |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25°C | 238 W | — |
| 動作温度範囲 | -55°C to +175°C (TJ) | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| パッケージ | PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| ピン数 | — | 3 (2 + Tab) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |