IAUA210N10S5N024AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUA210N10S5N024AUMA1 por Infineon y IPB60R280P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUA210N10S5N024AUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,65 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 CoolMOS P7 (600 V)
Technology MOSFET (Metal Oxide), N-Channel Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tj 210 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Gate Charge Qg (typ) [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 238 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +150 °C (T_j max)
Encapsulado PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL) PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Recuento de pines — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

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