IAUA210N10S5N024AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUA210N10S5N024AUMA1 par Infineon et IPB60R280P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUA210N10S5N024AUMA1 - 100V 2.4mΩ 210A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUA210N10S5N024AUMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IAUA210N10S5N024AUMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,65 | $0,88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | CoolMOS P7 (600 V) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), N-Channel | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tj | 210 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C] | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 2.4 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Gate Charge Qg (typ) | [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] | — |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25°C | 238 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (TJ) | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Boîtier | PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| Nombre de broches | — | 3 (2 + Tab) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |