IAUA210N10S5N024AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUA210N10S5N024AUMA1 por Infineon e IPB60R280P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUA210N10S5N024AUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,65 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 CoolMOS P7 (600 V)
Technology MOSFET (Metal Oxide), N-Channel Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tj 210 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Gate Charge Qg (typ) [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 238 W —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ) -55 °C to +150 °C (T_j max)
Encapsulamento PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL) PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Contagem de pinos — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação