IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN04S7N019GATMA1 von Infineon und IAUC120N04S6N009ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN04S7N019GATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $1,60
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
Gehäuse PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] —
Part Family — OptiMOS 6 40V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
Gepulster Drain-Strom — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
MSL-Level — 1
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

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