IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7N019GATMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6N009ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUCN04S7N019GATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.82 $1.60
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
패키지 PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] —
Part Family — OptiMOS 6 40V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
펄스 드레인 전류 — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C
MSL 레벨 — 1
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

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