IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUCN04S7N019GATMA1 メーカー: Infineon および IAUC120N04S6N009ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUCN04S7N019GATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $1.60
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
パッケージ PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] —
Part Family — OptiMOS 6 40V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
パルスドレイン電流 — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
MSLレベル — 1
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼