IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon e IAUC120N04S6N009ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ AtivoInfineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUCN04S7N019GATMA1 | IAUC120N04S6N009ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,82 | $1,60 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 147 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.95 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 81 W | — |
| Encapsulamento | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Substrate Compatibility | IMS substrates and legacy PCB | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per family datasheet) | AEC-Q101 |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tape and Reel Packaging | Yes (per ATMA1 suffix) | — |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] | — |
| Part Family | — | OptiMOS 6 40V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 120 A |
| Corrente de dreno pulsada | — | [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 0.9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Total Gate Charge Q_g typ | — | [DATA_NEEDED: Q_g typical] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 150 W |
| Thermal Resistance R_thJC max | — | 1.0 K/W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 °C to +175 °C |
| Nível MSL | — | 1 |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per Infineon product page) |