IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S7N019GATMA1 par Infineon et IAUC120N04S6N009ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN04S7N019GATMA1 | IAUC120N04S6N009ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,82 | $1,60 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 147 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.95 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 81 W | — |
| Boîtier | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Substrate Compatibility | IMS substrates and legacy PCB | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per family datasheet) | AEC-Q101 |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tape and Reel Packaging | Yes (per ATMA1 suffix) | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] | — |
| Part Family | — | OptiMOS 6 40V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 120 A |
| Courant de drain pulsé | — | [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 0.9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Total Gate Charge Q_g typ | — | [DATA_NEEDED: Q_g typical] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 150 W |
| Thermal Resistance R_thJC max | — | 1.0 K/W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Niveau MSL | — | 1 |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per Infineon product page) |