IAUCN08S7N024TATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN08S7N024TATMA1 von Infineon und IAUCN10S5L110TATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,45 $2,08
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 165 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 157 W —
Rds(on) Max at Vgs=10V 2.44 mOhm —
Gehäuse / Bauform PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Cooling Top-side cooled —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 Extended Qualification
RoHS-Status Compliant Compliant
Gate Threshold (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typ] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 61 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.3 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Power Dissipation (PD) at Tc — 88 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Gehäuse — PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled
MSL-Level — MSL1 (260°C peak reflow)
Avalanche Rated — 100% Avalanche Tested

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